Рассмотрим цепь смещения.
Это обычный резистивный делитель, но с некоторыми особенностями.
Во-первых, тут установлен дроссель 100 мкГн, но вернёмся к нему чуть позже.
Сначала посчитаем делитель.
Питание делителя Uпит = 10,67 В.
Ток эмиттера Iэп = 38 мА.
Ток базы Iбп = 1,2 мА.
Напряжение смещения Uбэп = 0,74 В.
Ток делителя Iдел = 4,5 мА.
R2 = Iэп*R1+Uбэп / Iдел = 36мА*38 Ом +0,74 В / 4,5 мА = 468 Ом.
R3 = Uпит - Iдел*R2 / Iдел+Iбп = 10,67В- 4,5мА*468 Ом / 4,5 мА+1,2 мА = 10,67В-2,106В / 5,7 мА = 1502 Ом.
Теперь посмотрим на дроссель.
На входное сопротивление влияют резисторы делителя и сопротивление цепи база-эмиттер.
R3 = 1.5 кОм оказывает малое влияние, но R2 = 470 Ом следует нейтрализовать.
Сопротивление дросселя 100 мкГн на частоте 3650 кГц равно XL = 2ПиFL = 2*3,14*3650000*100*(1/1000000) = 2292 Ом, что гораздо больше, чем 470 Ом.
Следовательно, на частотах выше примерно 750 кГц дроссель имеет сопротивление выше 470 Ом, что совместно с резисторами делителя оказывает незначительное влияние на входное сопротивление.
Как выбраны напряжение смещения, ток базы, ток делителя?
Понятно, что в данном примере я их просто измерил
Но мы уже назначили ток коллектора 35 мА, зная бетту транзистора В = 20...30, можно определить ток базы Iб = Iк/B = 35/20...30 = 1,16...1,75 мА.
Ток делителя - примерно в 5 раз больше тока базы.