в контексте приведённой им публикации:
"Блок питания 13,8В. 20А." ( http://ua3vfs.narod.ru/BP13.JPG ).
Собственно приступим к обсуждению.
Как я уже и писал - схема UA3VFS не содержит никаких цепей для плавного старта блока питания, а подключение в сеть трансформатора с накоротко замкнутой вторичной обмоткой, а именно через диоды выпрямителя и ёмкость в 100 тысяч микрофарад (0,1 фарады) не лучшая идея.
С другой стороны, если из моей схемы "вытрясти" все цепи плавного старта, то по сложности они будут соизмеримы, но не в этом суть, а суть вот в чём:
регулирующий элемент на биполярных транзисторах или на MOSFET?
Основные достоинства современных мощных MOSFET транзисторов:
+ Большая крутизна характеристики.
+ Большие допустимые токи.
+ Это современная элементная база.
+ Стоимость.
Для начала сравним "в лоб" характеристики двух транзисторов КТ819ГМ и IRFP044N:
максимальное напряжение коммутации* 100 против 55 вольт,
максимальный постоянный ток коммутации 15 против 53 ампер,
максимальная рассеиваемая мощность 100 против 120 ватт,
цена в розничных магазинах (взят чип и дип) 110 против 76 рублей.
* Под словом "коммутация" для упрощения сравнения я понимаю напряжение в закрытом состоянии (К-Э или С-И), которое не приводит к пробою.
Преимущество IRFP044N для низковольтных блоков питания уже очевидно, но это ещё не всё.
Как известно биполярные транзисторы управляются током, в то время как полевые с изолированным затвором напряжением. Преимущество управления напряжением может быть не таким очевидным, до тех пор, пока не будет рассмотрены потери на управление.
Транзистор КТ819ГМ имеет коэффициент передачи от 12 до 225, возьмём округлённое в большую сторону среднее, 120, тогда для управления током в 20 ампер, ток базы должен быть около 0,17 ампера, что при напряжении 14,3 вольта (не забываем про 0.5 вольта необходимые чтобы транзистор открылся), получаем "локальный кипятильник" по цепи базы с мощностью 2,4 ватта. Кажется 2,4 ватта не много, но это лишняя греющаяся деталь, лишний источник тепла, причём не рядом с мощным элементом, который на радиаторе, а на плате управления, где как правило установлен и источник опорного напряжения блока питания.
В свою очередь так как MOSFET управляется напряжением, то ток необходимый ему для коммутации никак не будет зависеть от коммутируемого тока, а будет зависеть лишь от переменной составляющей (которую и будет подавлять стабилизатор) и ёмкости его затвора. Даже в худшем случае, если напряжение на затворе потребуется менять на 10 вольт, то есть практически полностью закрывая ключевой элемент и полностью его открывая и этот процесс будет происходить с частотой 1000Гц, энергия для этого (для перезарядки ёмкости затвора) и транзистора IRFP044N с его полной ёмкостью затвора 2110 пикофарад потребуется 0,0001055 ватта.
Что же выбрать?
Для себя, в своём блоке питания я выбрал IRFP044N.